NTE Electronics, Inc. NTE585
NTE Electronics, Inc. NTE585
Diode,Schottky Barrier,Fast,Vr 40V,If 1A,Pkg DO-41,Config Single Phase,Vf 0.6VNos complace ofrecer a nuestros clientes productos NTE Electronics, Inc. con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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NTE Electronics, Inc. NTE585 Specifications
Property | Value |
---|---|
Configuration | Single |
Continuous Forward Current | 1 A |
Diameter | 2.72 mm |
Dimensions | 2.72 Dia. x 5.33 L mm |
Diode Type | Schottky |
Forward Voltage | 600 mV |
Junction Capacitance | 110 pF |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 80°C⁄W (Typ.) |
Length | 0.209 in |
Maximum Junction Temperature | 125 °C |
Maximum Operating Temperature | +125 °C |
Minimum Junction Temperature | -65 °C |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Non Repetitive On State Peak Current | 25 A |
Number of Pins | 2 |
Operating Temperature | -65 to 125 °C |
Package Type | DO-41 |
Peak Current | 10 mA |
Primary Type | Schottky Barrier |
Product Header | Fast Switching Schottky Barrier Silicon Rectifier |
Rectifier Type | Switching |
Repetitive Peak Voltage | 40 V |
Reverse Current | 10 mA |
Series | Schottky Rectifier Series |
Surge Current | 25 A |
Switching Speed | Fast |
Temperature Operating Range | -65 to +125 °C |
UPC Code | 768249255918 |