NTE Electronics, Inc. NTE66
NTE Electronics, Inc. NTE66
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.1Ohm,ID 14A,TO-220,PD 77W,VGS +/-20V,-55CNos complace ofrecer a nuestros clientes productos NTE Electronics, Inc. con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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NTE Electronics, Inc. NTE66 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Drain Current | 14 A |
Drain to Source On Resistance | 0.16 Ohms |
Drain to Source Voltage | 100 V |
Forward Transconductance | 7.6 S |
Forward Voltage, Diode | 2.5 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.61" (15.49mm) |
Input Capacitance | 640 pF @ 25 V |
Length | 0.42 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | TO-220 |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 77 W |
Product Header | Enhancement Mode Power MOSFET |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 1.62 K⁄W |
Series | MOSFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 17 nC |
Turn Off Delay Time | 23 ns |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 17 nC @ 10 V |
UPC Code | 768249283614 |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |