NTE Electronics, Inc. NTE98
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NTE Electronics, Inc. NTE98 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 20 A |
| Collector to Emitter Voltage | 500 V |
| Configuration | Common Base |
| Continuous Collector Current | 20 A |
| Device Dissipation | 175 W |
| Diameter | 22.2 mm |
| Dimensions | 22.2 Dia. x 8.89 H mm |
| Emitter to Base Voltage | 8 V |
| Height | 0.35" (8.89mm) |
| Input Voltage | 8 V |
| Material | Si |
| Maximum DC Current Gain | 400 |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 3 |
| Output Current | 20 A |
| Output Voltage | 700 VDC |
| Package Type | TO-3 |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 175 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | NPN Darlington Silicon Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Ambient | 1 °C/W |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1 °C⁄W |
| Temperature Operating Range | -65 to +200 °C |
| Temperature Range, Junction, Operating | -65 to 200 C |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Type | NPN |
| Type | High Voltage, Power |
| UPC Code | 768249374718 |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 500 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 3.5 V |
| Voltage, Saturation, Base to Emitter | 2.5 V |