ON Semiconductor BAS40LT1G
Diode,Schottky Barrier,Switching,Vr 40V,If 120mA,Pkg SOT-23 (TO-236AB),Vf 380mVNos complace ofrecer a nuestros clientes productos ON Semiconductor con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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ON Semiconductor BAS40LT1G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Continuous Forward Current | 120 A |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01 mm |
| Diode Type | Schottky Barrier |
| Forward Voltage | 1 V |
| Height | 0.04" (1.01mm) |
| Junction Capacitance | 5 pF |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Junction Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Non Repetitive On State Peak Current | 600 mA |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Temperature | -55 to +150 °C |
| Package Type | SOT-23 |
| Peak Current | 1 μA |
| Power Dissipation | 225 mW |
| Primary Type | Schottky Barrier |
| Product Header | SOT-23 (TO-236AB) Package Schottky Barrier Diode |
| Rectifier Type | Switching |
| Repetitive Peak Voltage | 40 V |
| Series | BAS Series |
| Surge Current | 600 mA |
| Switching Speed | Switching |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Width | 0.055 in |