ON Semiconductor BSP52T3G

Transistor, Darlington, Si, NPN, Medium Power, Small Signal, Vo 80VDC, VI 5VDC

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ON Semiconductor BSP52T3G Specifications

Property	Value
Collector to Base Voltage	90 V
Collector to Emitter Voltage	80 V
Configuration	Common Base
Continuous Collector Current	1 A
Dimensions	6.70 x 1.75 x 7.30 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.287" (7.3mm)
Input Voltage	5 V
Length	0.263 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	4
Output Current	1 A
Output Voltage	80 VDC
Package Type	SOT-223
Polarity	NPN
Power Dissipation	1.25 W
Primary Type	Si
Product Header	NPN Darlington Small Signal Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Ambient	156 °C/W
Series	BSP Series
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Transistor Type	NPN
Type	Medium Power, Small Signal
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	1.3 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	1.9 V
Width	0 in