ON Semiconductor MJ11015G

Transistor, Darlington,Si,PNP,High Current, Power,Vo 120VDC,VI 5VDC,Io 30ADC

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ON Semiconductor MJ11015G Specifications

Property	Value
Alternate Mfr Part Number	6881502
Base Current	1 A
Collector to Base Voltage	120 V
Collector to Emitter Voltage	120 V
Configuration	Dual
Continuous Collector Current	30 A
Current, Output, Leakage	1 mA
Dimensions	39.37 x 8.51 x 26.67 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	1.05" (26.67mm)
Input Voltage	5 V
Length	1.55 in
Maximum Operating Temperature	+200 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	2
Output Current	30 A
Output Voltage	120 VDC
Package Type	TO-3
Polarity	PNP
Power Dissipation	200 W
Primary Type	Si
Product Header	High Current Complementary Bipolar Silicon Transistor
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-55 to +200 °C
Transistor Type	PNP
Type	High Current, Power
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	4 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	5 V
Width	0 in