ON Semiconductor MJD3055G
ON Semi MJD3055G NPN Bipolar Transistor, 10 A, 60 V, 3-Pin DPAKNos complace ofrecer a nuestros clientes productos ON Semiconductor con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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ON Semiconductor MJD3055G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 10 A |
| Collector to Base Voltage | 70 V |
| Collector to Emitter Voltage | 60 V |
| Configuration | Common Base |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 2.38 mm |
| Emitter to Base Voltage | 5 V |
| Height | 0.094" (2.38mm) |
| Length | 0.264 in |
| Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Frequency | 2 MHz |
| Package Type | DPAK |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 20 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | NPN Silicon Complementary Power Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 6.25 °C/W |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Transistor Type | NPN |
| Type | Power |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 60 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 8 V |
| Width | 0 in |