ON Semiconductor MJD50G
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ON Semiconductor MJD50G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 1 A |
| Collector to Base Voltage | 500 V |
| Collector to Emitter Voltage | 400 V |
| Configuration | Common Base |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 2.38 mm |
| Emitter to Base Voltage | 5 V |
| Height | 0.094" (2.38mm) |
| Length | 0.264 in |
| Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Frequency | 10 MHz |
| Package Type | DPAK |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 15 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | High Voltage Power Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 8.33 °C/W |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +150 °C |
| Transistor Type | NPN |
| Type | High Voltage, Power |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 400 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 1 V |
| Width | 0 in |