ON Semiconductor MJE350G
ON Semi MJE350G PNP High Voltage Bipolar Transistor, 0.5 A, 300 V, 3-Pin TO-225Nos complace ofrecer a nuestros clientes productos ON Semiconductor con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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ON Semiconductor MJE350G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 500 mA |
| Collector to Emitter Voltage | 300 V |
| Configuration | Common Base |
| Dimensions | 7.80 x 3.00 x 11.10 mm |
| Emitter to Base Voltage | 3 V |
| Height | 0.437" (11.1mm) |
| Length | 0.307 in |
| Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-225 |
| Polarity | PNP |
| Power Dissipation | 20 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 6.25 °C/W |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +150 °C |
| Transistor Type | PNP |
| Type | Medium Power |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 300 V |
| Width | 0 in |