SEMIKRON SEMIX 754GB128DS
IGBT Module, SPT, Half-Bridge, 1200 V, 680 A Max., SEMiX 4sNos complace ofrecer a nuestros clientes productos SEMIKRON con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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SEMIKRON SEMIX 754GB128DS Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Collector Current | 680 A |
| Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
| Collector to Emitter Voltage | 1200 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 680 A |
| Dimensions | 183 x 68.6 x 17 mm |
| Energy Rating | 92 mJ |
| Gate Capacitance | 37.7 nF |
| Gate to Emitter Voltage | 20 V |
| Height | 0.669" (17mm) |
| Length | 7.204" (183mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Screw |
| Number of Pins | 25 |
| Package Type | SEMIX 4s |
| Polarity | N-Channel |
| Primary Type | Si |
| Product Header | SPT N-Channel IGBT Module |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.05 K/W |
| Series | IGBT Series |
| Temperature Operating Range | -40 to +150 °C |
| Type | SPT |
| Width | 2.701" (68.6mm) |