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SEMIKRON SEMIX303GB12E4S
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IGBT Half-Bridge Ultrafast, 1200V, SEMITRANSNos complace ofrecer a nuestros clientes productos SEMIKRON con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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En esta página, encontrará información detallada sobre el producto SEMIKRON SEMIX303GB12E4S. La marca SEMIKRON es reconocida por sus piezas de alta calidad utilizadas en diversos sectores. El sitio web ofrece diferentes modelos de productos SEMIKRON, que ofrecen opciones adaptadas a sus necesidades.
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SEMIKRON SEMIX303GB12E4S Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Collector Current | 466 A |
Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
Collector to Emitter Voltage | 1200 V |
Configuration | Dual |
Continuous Collector Current | 466 A |
Dimensions | 149.5 x 63.5 x 17 mm |
Energy Rating | 33 mJ |
Gate to Emitter Voltage | 20 V |
Height | 0.669" (17mm) |
Length | 5.885 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 20 |
Package Type | SEMIX 3s |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.095 K/W |
Series | IGBT Series |
Temperature Operating Range | -40 to +175 °C |
Type | Ultrafast |
Width | 0 in |