Siliconix / Vishay SI1013X-T1-E3/BKN

1.8V P-CHANNEL MOSFET W/ESD PROTECT

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Siliconix / Vishay SI1013X-T1-E3/BKN Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Single
Dimensions	1.7 x 0.95 x 0.8 mm
Drain Current	-275 mA
Drain to Source On Resistance	2.7 Ohms
Drain to Source Voltage	-20 V
Forward Transconductance	0.4 S
Forward Voltage, Diode	-1.2 V
Gate to Source Voltage	±6 V
Height	0.031" (0.8mm)
Length	0.066 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	SC-89
Power Dissipation	250 mW
Series	SI10 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	35 ns
Turn On Delay Time	5 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	1500 nC @ -4.5 V
Width	0.037 in