Siliconix / Vishay SI1021R-T1-GE3
60V (D-S) P-CH MOSFET W/ESD PROTECTNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI1021R-T1-GE3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 1.68 x 0.86 x 0.8 mm |
| Drain Current | -135 A |
| Drain to Source On Resistance | 8 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -60 V |
| Forward Transconductance | 80 mS |
| Forward Voltage, Diode | 80 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.031" (0.8mm) |
| Input Capacitance | 23 pF @ -25 V |
| Length | 0.066 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | SC-75A |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 250 mW |
| Series | SI10 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 1.7 nC |
| Turn Off Delay Time | 35 ns |
| Turn On Delay Time | 20 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.7 nC @ -30 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -60 V |
| Width | 0.034 in |