Siliconix / Vishay SI1026X-T1-GE3/BKN

DUAL 60V (D-S) N-CH MOSFET W/ESD PR

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Siliconix / Vishay SI1026X-T1-GE3/BKN Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	1.7 x 1.2 x 0.5 mm
Drain Current	305 A
Drain to Source On Resistance	3 Ohms
Drain to Source Voltage	60 V
Forward Transconductance	200 mS
Forward Voltage, Diode	1.4 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.02" (0.5mm)
Input Capacitance	30 pF @ 25 V
Length	0.066 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	6
Operating and Storage Temperature	-55 TO +150 C
Package Type	SC-89
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	250 mW
Series	SI10 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	600 pC
Turn Off Delay Time	20 ns
Turn On Delay Time	15 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	600 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V
Width	0.047 in