Siliconix / Vishay SI1563DH-T1-E3/BKN
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Siliconix / Vishay SI1563DH-T1-E3/BKN Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N, P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 2.2 x 1.35 x 1 mm |
| Drain Current | -0.88, 1.13 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.45, 1.1 Ω |
| Drain to Source Voltage | -20, 20 V |
| Forward Transconductance | 1.5, 2.6 S |
| Forward Voltage, Diode | 0.8/-0.8 V |
| Gate to Source Voltage | ±8 V |
| Height | 0.039" (1mm) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 170 °C/W |
| Length | 0.086" (2.2mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 6 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | SC-70 |
| Polarization | N-Channel and P-Channel |
| Power Dissipation | 0.57 W |
| Series | SI15 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 1.25/1.2 nC |
| Turn Off Delay Time | 15, 25 ns |
| Turn On Delay Time | 15, 18 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.2 nC @ 4.5 V, 1.25 nC @ 4.5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 20/-20 V |
| Width | 0.053" (1.35mm) |