Siliconix / Vishay SI2333DS-T1-E3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -12V,RDS(ON) 0.025Ohm,ID -4.1A,TO-236 (SOT-23),PD 0.75WNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI2333DS-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.02 mm |
| Drain Current | -3.3 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.059 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -12 V |
| Forward Transconductance | 17 S |
| Forward Voltage, Diode | 0.7 V |
| Gate to Source Voltage | ±8 V |
| Height | 0.04" (1.02mm) |
| Input Capacitance | 1100 pF @ -6 V |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-236 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 0.75 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SI23 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 11.5 nC |
| Turn Off Delay Time | 72 ns |
| Turn On Delay Time | 25 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11.5 nC @ -6 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -12 V |
| Width | 0.055 in |