Siliconix / Vishay SI3456BDV-T1-E3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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Siliconix / Vishay SI3456BDV-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain
Dimensions	3.1 x 1.7 x 1 mm
Drain Current	4.5 A
Drain to Source On Resistance	0.052 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	12 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.039" (1mm)
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	6
Package Type	TSOP-6
Power Dissipation	1.1 W
Series	SI34 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	25 ns
Turn On Delay Time	10 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	8.6 nC @ 10 V
Width	0 in