Siliconix / Vishay SI3457BDV-T1-E3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -30V,RDS(ON) 0.044Ohm,ID -3.7A,TSOP-6,PD 1.14W,VGS+/-20VNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI3457BDV-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Quad Drain |
| Dimensions | 3.1 x 1.7 x 1 mm |
| Drain Current | -3 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.1 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -30 V |
| Forward Transconductance | 10 S |
| Forward Voltage, Diode | -0.8 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.039" (1mm) |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 6 |
| Package Type | TSOP |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 1.14 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SI34 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 12.5 nC |
| Turn Off Delay Time | 30 ns |
| Turn On Delay Time | 7 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.5 nC @ -15 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -30 V |
| Width | 0 in |