Siliconix / Vishay SI3460DV-T1-E3
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Siliconix / Vishay SI3460DV-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Quad Drain |
| Dimensions | 3.1 x 1.7 x 1 mm |
| Drain Current | 5.1 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.038 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 20 V |
| Forward Transconductance | 25 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±8 V |
| Height | 0.039" (1mm) |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 6 |
| Package Type | TSOP-6 |
| Power Dissipation | 1.1 W |
| Series | SI34 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 70 ns |
| Turn On Delay Time | 15 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 0 in |