Siliconix / Vishay SI3585DV-T1-E3

MOSFET,DUAL, 20V, 2.4/1.8A, TSOP-6

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Siliconix / Vishay SI3585DV-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N ; P
Configuration	Single
Dimensions	3.1 x 1.7 x 1 mm
Drain Current	-1.5 to 2 A
Drain to Source On Resistance	0.2 to 0.34 Ohms
Drain to Source Voltage	-20 to 20 V
Forward Transconductance	3.6, 5 S
Forward Voltage, Diode	0.8/-0.83 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.039" (1mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	130 °C/W
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	6
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	TSOP
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	0.83 W
Series	SI35 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	2.1/2.7 nC
Turn Off Delay Time	14, 19 ns
Turn On Delay Time	10, 11 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	2.1 nC @ 4.5 V, 2.7 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20/-20 V
Width	0 in