Siliconix / Vishay SI3900DV-T1-E3/BKN
MOSFET; TSOP6 20V Dual N-Channel (D-S) TrenchNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI3900DV-T1-E3/BKN Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.1 x 1.7 x 1 mm |
| Drain Current | 2 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.2 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 20 V |
| Forward Transconductance | 5 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.1 V |
| Gate to Source Voltage | ±12 V |
| Height | 0.039" (1mm) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 130 °C/W |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 6 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | TSOP |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 0.83 W |
| Series | SI39 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 2.1 nC |
| Turn Off Delay Time | 14 ns |
| Turn On Delay Time | 10 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.1 nC @ 4.5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 20 V |
| Width | 0 in |