Siliconix / Vishay SI4488DY-T1-E3/BKN

MOSFET; SOIC8 150V N-Channel Trench

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Siliconix / Vishay SI4488DY-T1-E3/BKN Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	5 A
Drain to Source On Resistance	0.5 Ohms
Drain to Source Voltage	150 V
Fall Time	15 ns
Forward Transconductance	18 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.061" (1.55mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	40 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Operating and Storage Temperature	-55 to +150 C
Package Type	SO-8
Polarization	Dual N-Channel
Power Dissipation	1.4 W
Series	SI44 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	36 nC
Turn Off Delay Time	33 ns
Turn On Delay Time	18 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	35 nC @ 75 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	150 V
Width	0 in