Siliconix / Vishay SI4830CDY-T1-GE3

MOSFET,Dual N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 0.017Ohm,ID 5.7A,SO-8,PD 1.1W,VGS +/-20V,gFS 1

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Siliconix / Vishay SI4830CDY-T1-GE3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	6.5 A
Drain to Source On Resistance	0.025 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	19 S
Forward Voltage, Diode	0.75 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.061" (1.55mm)
Input Capacitance	950 pF @ 15 V
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	Dual N-Channel
Power Dissipation	1.1 W
Product Header	Dual N-Channel MOSFET with Schottky Diode
Series	SI48 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	7 nC
Turn Off Delay Time	19 ns
Turn On Delay Time	9 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	16.5 nC @ 15 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in