Siliconix / Vishay SI6473DQ-T1-E3
MOSFET; TSSOP8 20V P-CH 2.5V (GS) RatedNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI6473DQ-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Quad ; Triple Drain |
| Dimensions | 3.1 x 4.5 x 1.05 mm |
| Drain Current | -4.9 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.0215 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Forward Transconductance | 45 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.1 V |
| Gate to Source Voltage | ±8 V |
| Height | 0.041" (1.05mm) |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | TSSOP-8 |
| Power Dissipation | 0.08 W |
| Series | SI64 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 220 ns |
| Turn On Delay Time | 42 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 47.5 nC @ -5 V |
| Width | 0 in |