Siliconix / Vishay SI6544BDQ-T1-GE3
MOSFET, N/P-Ch, Vds 30V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 25mohm, Id 2.7A, TSSOP-8, Pd 0.83WNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI6544BDQ-T1-GE3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Dual Drain ; Dual Gate ; Quad |
| Dimensions | 3.1 x 4.5 x 1.05 mm |
| Drain Current | -2.6 to 3.7 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.046 to 0.073 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -30 to 30 V |
| Forward Transconductance | 11 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.1 (P), 1.1 (N) V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.041" (1.05mm) |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | TSSOP-8 |
| Power Dissipation | 0.83 W |
| Series | SI65 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 30 (N), 40 (P) ns |
| Turn On Delay Time | 13 (N), 14 (P) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16 nC @ -10 V (P-Channel), 9.5 nC @ 10 V (N-Channel) |
| Width | 0 in |