Siliconix / Vishay SI6943BDQ-T1-E3
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Siliconix / Vishay SI6943BDQ-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual Drain ; Dual Gate ; Quad |
| Dimensions | 4.5 x 3.1 x 1.05 mm |
| Drain Current | -1.8 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.105 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -12 V |
| Forward Transconductance | 8 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±8 V |
| Height | 0.041" (1.05mm) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 120 °C/W |
| Length | 0.177 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | TSSOP |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 0.8 W |
| Series | SI69 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 5.7 nC |
| Turn Off Delay Time | 35 ns |
| Turn On Delay Time | 15 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.7 nC @ -4.5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -12 V |
| Width | 0 in |