Siliconix / Vishay SI7107DN-T1-E3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

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Siliconix / Vishay SI7107DN-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	3.15 x 3.15 x 1.07 mm
Drain Current	-7.8 A
Drain to Source On Resistance	0.02 Ohms
Drain to Source Voltage	-20 V
Fall Time	240 ns
Forward Transconductance	58 S
Forward Voltage, Diode	-1.2 V
Gate to Source Voltage	±8 V
Height	0.042" (1.07mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	33 °C/W
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Operating and Storage Temperature	-55 to +150 C
Package Type	PowerPAK 1212-8
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	1.5 W
Resistance, Thermal, Junction to Case	2.4 °C/W
Series	SI71 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	44 nC
Turn Off Delay Time	400 ns
Turn On Delay Time	40 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	34 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-20 V
Width	0 in