Siliconix / Vishay SI7218DN-T1-E3

SI7218DN-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Module, 24 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212

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Siliconix / Vishay SI7218DN-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	3.15 x 3.15 x 1.07 mm
Drain Current	24 A
Drain to Source On Resistance	0.033 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	20 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.042" (1.07mm)
Input Capacitance	700 pF @ 15 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	38 °C/W
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	PowerPAK 1218-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	23 W
Series	SI72 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	11 nC
Turn Off Delay Time	15 ns
Turn On Delay Time	10 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in