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Siliconix / Vishay SI7370DP-T1-E3
Siliconix / Vishay SI7370DP-T1-E3
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 0.009Ohm,ID 9.6A,PowerPAK SO-8,PD 1.9W,-55CNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI7370DP-T1-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
Dimensions | 5.99 x 5 x 1.07 mm |
Drain Current | 9.6 A |
Drain to Source On Resistance | 0.013 Ohms |
Drain to Source Voltage | 60 V |
Forward Transconductance | 50 S |
Forward Voltage, Diode | 0.75 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.042" (1.07mm) |
Length | 0.235 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 8 |
Package Type | PowerPAK-SO-8 |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 1.9 W |
Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
Series | SI73 Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 46 nC |
Turn Off Delay Time | 50 ns |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |
Width | 0 in |