Siliconix / Vishay SI7414DN-T1-E3
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 0.021Ohm,ID 5.6A,PowerPAK 1212-8,PD 1.5WNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI7414DN-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
| Dimensions | 3.15 x 3.15 x 1.07 mm |
| Drain Current | 5.6 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.036 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 60 V |
| Forward Transconductance | 18 S |
| Forward Voltage, Diode | 0.75 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.042" (1.07mm) |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | PowerPAK-SO-8 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 1.5 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SI74 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 16 nC |
| Turn Off Delay Time | 30 ns |
| Turn On Delay Time | 15 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |
| Width | 0 in |