Siliconix / Vishay SI7872DP-T1-E3
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Siliconix / Vishay SI7872DP-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain |
| Dimensions | 5.99 x 5 x 1.07 mm |
| Drain Current | 6.4 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.28 to 0.3 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 30 V |
| Forward Transconductance | 19 (Channel 1), 21 (Channel 2) S |
| Forward Voltage, Diode | 0.75 V (Channel-1), 0.47 V (Channel-2) V |
| Gate to Source Voltage | ±12 (Channel 2), ±20 (Channel 1) V |
| Height | 0.042" (1.07mm) |
| Length | 0.235 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | PowerPAK-SO-8 |
| Polarization | Dual N-Channel |
| Power Dissipation | 1.4 W |
| Product Header | Dual N-Channel MOSFET with Schottky Diode |
| Series | SI78 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 7 nC (Channel-1), 11.5 nC (Channel-2) |
| Turn Off Delay Time | 19 (Channel 1), 40 (Channel 2) ns |
| Turn On Delay Time | 12 (Channel 2), 9 (Channel 1) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11.5 nC (Channel 2) @ 4.5 V, 7 nC (Channel 1) @ 4.5 |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
| Width | 0 in |