Siliconix / Vishay SI7913DN-T1-E3/BKN
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Siliconix / Vishay SI7913DN-T1-E3/BKN Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain |
| Dimensions | 3.15 x 3.15 x 1.07 mm |
| Drain Current | -3.6 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.066 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Forward Transconductance | 20 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±8 V |
| Height | 0.042" (1.07mm) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 75 °C/W |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | PowerPAK-SO-8 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 1.3 W |
| Series | SI79 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 15.3 nC |
| Turn Off Delay Time | 72 ns |
| Turn On Delay Time | 20 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15.3 nC @ -4.5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
| Width | 0 in |