Siliconix / Vishay SI7922DN-T1-E3

SI7922DN-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Module, 1.8 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212

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Siliconix / Vishay SI7922DN-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	3.15 x 3.15 x 1.07 mm
Drain Current	1.8 A
Drain to Source On Resistance	0.23 Ohms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	5.3 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.042" (1.07mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	77 °C/W
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	PowerPAK-SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	1.3 W
Series	SI79 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	5.2 nC
Turn Off Delay Time	8 ns
Turn On Delay Time	7 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	5.2 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in