Siliconix / Vishay SI9407AEY-T1-E3

MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -60V,RDS(ON) 0.12Ohm,ID +/-3.5A,SO-8,PD 3W,VGS +/-20V,gF

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Siliconix / Vishay SI9407AEY-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Drain Current	±3.5 A
Drain to Source On Resistance	0.15 Ohm
Drain to Source Voltage	–60 V
Forward Transconductance	8 S
Forward Voltage, Diode	-1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	SO-8
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	3 W
Product Header	TrenchFET® Power MOSFET
Series	SI94 Series
Total Gate Charge	30 nC
Turn Off Delay Time	35 ns
Turn On Delay Time	8 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-60 V