Siliconix / Vishay SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Module, 8 A, 20 V, 8-Pin SOIC

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Siliconix / Vishay SI9926CDY-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	8 A
Drain to Source On Resistance	0.022 Ohms
Drain to Source Voltage	20 V
Forward Transconductance	45 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.061" (1.55mm)
Input Capacitance	1200 pF @ 10 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	32 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	3.1 W
Series	SI99 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	22 nC
Turn Off Delay Time	35 ns
Turn On Delay Time	15 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	22 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20 V
Width	0 in