Siliconix / Vishay SI9945BDY-T1-GE3
MOSFET, Dual N-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 46mohm, Id 5.3, SO-8, Pd 3.1WNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI9945BDY-T1-GE3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain |
| Dimensions | 5 x 4 x 1.55 mm |
| Drain Current | 5.3 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.072 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 60 V |
| Forward Transconductance | 15 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.061" (1.55mm) |
| Input Capacitance | 665 pF @ 15 V |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | SO-8 |
| Power Dissipation | 3.1 W |
| Series | SI99 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 20 ns |
| Turn On Delay Time | 15 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Width | 0 in |