Siliconix / Vishay SUD40N02-08-E3

MOSFET; N-Channel 20V [email protected] PWM Optimized

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Siliconix / Vishay SUD40N02-08-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38 mm
Drain Current	40 A
Drain to Source On Resistance	0.014 Ohms
Drain to Source Voltage	20 V
Fall Time	35 ns
Forward Transconductance	20 S
Forward Voltage, Diode	1.5 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.094" (2.38mm)
Input Capacitance	2660 pF @ 20 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	18 °C/W
Length	0.264 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +175 C
Package Type	TO-252
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	71 W
Resistance, Thermal, Junction to Case	2.1 °C/W
Series	SUD Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	35 nC
Turn Off Delay Time	45 ns
Turn On Delay Time	20 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	26 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20 V
Width	0 in