Siliconix / Vishay SUM110N04-03-E3

N-Channel 40-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

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Siliconix / Vishay SUM110N04-03-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Drain Current	110 A
Drain to Source On Resistance	0.0056 Ohms
Drain to Source Voltage	40 V
Forward Transconductance	30 S
Forward Voltage, Diode	1.5 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Input Capacitance	8250 pF @ 25 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-236
Power Dissipation	437.5 W
Series	SUM Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	55 ns
Turn On Delay Time	25 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	165 nC @ 10 V