Vishay PCS IRFD210PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 200V,RDS(ON) 1.5 Ohms,ID 0.6A,HD-1,PD 1W,VGS+/-20V,VF 2V

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Vishay PCS IRFD210PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	6.29 x 5 x 3.37 mm
Drain Current	0.6 A
Drain to Source On Resistance	1.5 Ohms
Drain to Source Voltage	200 V
Forward Transconductance	0.1 S
Forward Voltage, Diode	2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.133" (3.37mm)
Input Capacitance	140 pF @ 25 V
Length	0.247 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	4
Package Type	HVMDIP
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	1 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	IRF Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	8.2 nC
Turn Off Delay Time	14 ns
Turn On Delay Time	8.2 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 8.2 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	200 V
Width	0 in