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General Semiconductor / Vishay MBR1090-E3/4W
General Semiconductor / Vishay MBR1090-E3/4W
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General Semiconductor / Vishay MBR1090-E3/4W Specifications
Property | Value |
---|---|
Configuration | Single |
Continuous Forward Current | 10 A |
Dimensions | 10.45 x 4.83 x 9.14 mm |
Diode Type | Schottky |
Forward Voltage | 0.65 V |
Height | 0.36" (9.14mm) |
Length | 0.411 in |
Maximum Junction Temperature | +150 °C |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Non Repetitive On State Peak Current | 150 A |
Number of Pins | 2 |
Operating Temperature | -65 to +150 °C |
Package Type | TO-263AB |
Peak Current | 6000 μA |
Primary Type | Schottky Barrier |
Product Header | High Voltage Schottky Rectifier |
Repetitive Peak Voltage | 90 V |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 2 °C/W |
Reverse Current | 6 mA |
Series | MBR Series |
Surge Current | 150 A |
Temperature Operating Range | -65 to +150 °C |
Width | 0 in |