General Semiconductor / Vishay VF20100SG-E3/45

Diode,Schottky Barrier,Vr 100V,If 20A,Pkg ITO-220AB,Vf 0.75V,Tj +150degc,Cs 150A

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General Semiconductor / Vishay VF20100SG-E3/45 Specifications

Property	Value
Configuration	Single
Continuous Forward Current	20 A
Dimensions	10.26 x 15.24 x 4.83 mm
Diode Type	Rectifier
Forward Voltage	0.75 V
Height	0.6" (15.24mm)
Length	0.403" (10.26mm)
Maximum Junction Temperature	+150 °C
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Pins	3
Operating Temperature	-40 to +150 °C
Package Type	ITO-220AB
Primary Type	Schottky Barrier
Product Header	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Barrier Rectifier
Repetitive Peak Voltage	100 V
Resistance, Thermal, Junction to Case	4 °C/W
Reverse Current	13 mA
Series	VF20100S Series
Surge Current	150 A
Temperature Operating Range	-40 to +150 °C
Width	0.404" (10.26mm)