Infineon AUIRLR3410

AUIRLR3410 N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 100 V, 3-Pin DPAK

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Infineon AUIRLR3410 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Drain Current	17 A
Drain to Source On Resistance	0.155 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	7.7 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±16 V
Height	0.094" (2.39mm)
Input Capacitance	800 pF @ 25 V
Length	0.264 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Power Dissipation	79 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	30 ns
Turn On Delay Time	7.2 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 34 nC @ 5 V
Width	0 in