Infineon IRF6633ATR1PBF

20V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET, DIRECTFET MP PKG

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Infineon IRF6633ATR1PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	6.35 x 5.05 x 0.70 mm
Drain Current	69 A
Drain to Source Voltage	20 V
Forward Transconductance	31 S
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.028" (0.7mm)
Input Capacitance	1410 pF @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DirectFET MP
Power Dissipation	42 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-40 to +150 °C
Turn On Delay Time	6.9 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Width	0.199" (5.05mm)