Infineon IRF7380QTRPBF

MOSFET, DUAL N-CHANNEL, 80V, 3.6A, SO-8, Q101 QUALIFIED

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Infineon IRF7380QTRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	3.6 A
Drain to Source On Resistance	73 mΩ
Drain to Source Voltage	80 V
Forward Transconductance	4.3 sec
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	660 pF @ 25 V
Length	0.196" (5mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	2 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	41 ns
Turn On Delay Time	9 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	15 nC @ 10 V
Width	0.157" (4mm)