Infineon IRF7416PBF
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -30V,RDS(ON) 0.02Ohm,ID -10A,SO-8,PD 2.5W,VGS+/-20V,-55CNous sommes heureux de proposer à nos clients des produits Infineon avec livraison dans leurs pays respectifs. Veuillez nous contacter pour des informations détaillées sur les prix et les délais de livraison. Dans votre demande, veuillez envoyer des informations contenant les codes produits et des détails spécifiques à notre adresse [email protected].
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Infineon IRF7416PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
| Dimensions | 5.00 x 4.00 x 1.50 mm |
| Drain Current | -10 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.035 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -30 V |
| Forward Transconductance | 5.6 S |
| Forward Voltage, Diode | -1 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.059" (1.5mm) |
| Input Capacitance | 1700 pF @ -25 V |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 2.5 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 61 nC |
| Turn Off Delay Time | 59 ns |
| Turn On Delay Time | 18 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 61 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -30 V |
| Width | 0 in |