Infineon IRF8010PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 12 Milliohms,ID 80A,TO-220AB,PD 260W,-55C

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Infineon IRF8010PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	10.54 x 4.69 x 8.77 mm
Drain Current	80 A
Drain to Source On Resistance	15 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	82 V
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.345" (8.77mm)
Input Capacitance	3830 pF @ 25 V
Length	0.414 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	260 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	81 nC
Turn Off Delay Time	61 ns
Turn On Delay Time	15 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	81 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in