Infineon IRFB4310PBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 5.6 Milliohms,ID 130A,TO-220AB,PD 300WNous sommes heureux de proposer à nos clients des produits Infineon avec livraison dans leurs pays respectifs. Veuillez nous contacter pour des informations détaillées sur les prix et les délais de livraison. Dans votre demande, veuillez envoyer des informations contenant les codes produits et des détails spécifiques à notre adresse [email protected].
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Infineon IRFB4310PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Alternate Mfr Part Number | 6504744 |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.66 x 4.82 x 9.02 mm |
| Drain Current | 130 A |
| Drain to Source On Resistance | 7 mOhms |
| Drain to Source Voltage | 100 V |
| Forward Transconductance | 160 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Length | 0.419 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 300 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Total Gate Charge | 170 nC |
| Turn Off Delay Time | 68 ns |
| Turn On Delay Time | 26 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |