Infineon IRFS4115PBF

IRFS4115PBF N-channel MOSFET Transistor, 195 A, 150 V, 3-Pin D2PAK

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Infineon IRFS4115PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Drain Current	195 A
Drain to Source On Resistance	12.1 mOhms
Drain to Source Voltage	150 V
Forward Transconductance	97 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.19" (4.83mm)
Input Capacitance	5270 pF @ 50 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Power Dissipation	375 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	41 ns
Turn On Delay Time	18 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	77 nC @ 10 V
Width	0 in