NTE Electronics, Inc. NTE2321
NTE Electronics, Inc. NTE2321
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NTE Electronics, Inc. NTE2321 Specifications
Property | Value |
---|---|
Collector Current | 500 mA |
Collector to Base Voltage | 60 V |
Collector to Emitter Voltage | 30 V |
Configuration | Common Base |
Continuous Collector Current | 500 mA |
Device Dissipation | 0.65 W |
Dimensions | 19.95 x 7.62 x 5.08 mm |
Emitter to Base Voltage | 5 V |
Height | 0.2" (5.08mm) |
Length | 0.785 in |
Material | Si |
Maximum Operating Temperature | +200 °C |
Minimum DC Current Gain | 30 |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 14 |
Operating Frequency | 350 MHz |
Package Type | DIP-14 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 1.9 W |
Primary Type | Si |
Product Header | Silicon NPN Transistor |
Series | Transistor Series |
Temperature Operating Range | -65 to +200 °C |
Temperature Range, Junction, Operating | -65 to +200 C |
Transistor Polarity | NPN |
Transistor Type | NPN |
Type | General Purpose, Quad |
UPC Code | 768249109013 |
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 40 V |
Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 1.6 V |
Width | 0 in |