NTE Electronics, Inc. NTE243

Transistor, Darlington,Si,NPN,Amplifier, Switch,Vo 80V,VI 5V,Io 8A,PD 100W,TO-3

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NTE Electronics, Inc. NTE243 Specifications

Property	Value
Collector Current	8 A
Collector to Base Voltage	80 V
Collector to Emitter Voltage	80 V
Configuration	Common Base
Diameter	22.2 mm
Dimensions	22.2 Dia. x 8.89 H mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.35" (8.89mm)
Input Voltage	5 V
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+200 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	3
Output Current	8 A
Output Voltage	80 VDC
Package Type	TO-3
Polarity	NPN
Power Dissipation	100 W
Primary Type	Si
Product Header	NPN Darlington Silicon Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.78 °C⁄W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-65 to +200 °C
Temperature Range, Junction, Operating	-65 to +200 C
Transistor Polarity	NPN
Transistor Type	NPN
Type	Amplifier, Switch
UPC Code	768249117414
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	3 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	4 V
Voltage, Saturation, Collector to Emitter	2 V